Анотація:
Досліджено виникнення перколяції в умовах ІПС в системі провідник – ізолятор (Si3N4–30об.%ZrN)–5об.%Y2O3 і (Si3N4–50об.%ZrN)–5об.%Y2O3 за різної щільності струму в зразку. Виявлено ефект перколяції в умовах підвищення щільності струму за рахунок ізоляції матриці у вигляді скачку потужності нагрівання при ~1350 °С. Проведено моделювання протікання струму в системі провідник – ізолятор методом клітинних автоматів з різними 3Д-сітками: Встановлено, що при збільшенні кількості контактів для простої моделі поріг перколяції зменшується від 33 % (26 контактів) до 9 % (6 контактів). Для складної пористої моделі кількість міжчастинкових контактів, необхідної для перколяції, зменшується від 15 при 15 % до 9 при 35 %.
Проведено аналіз температурної залежності зміни вільної енергії Гібса хімічних реакцій, можливих при реакційному ІПС порошкових сумішей TiН2+ZrН2+HfН2+BN та TiН2+ZrН2+HfН2+BN+В в інтервалі температур від 300 до 2300 К. Проведено дослідження фазоутворення композиту TiN – TiB2 з суміші TiH2 (75 мас. %) та BN (25 мас. %), що відповідає кінцевому складу TiN 64 мас.% та TiB2 36 мас.% в залежності від швидкості нагрівання 10 – 400 °С/хв в умовах ІПС.
Керамічний композит TiB2 – B4C, (70/30 об. %) високої щільності (99,5 %), отриманий методом ІПС і випробуваний на вигин в атмосфері Ar при температурі 1800 °C показав значення міцності ~1,1 ГПа
Встановлено, що присутність Ті та Si3N4 у складі композиційного порошку на основі SiC сприяє формуванню низького питомого опору при ГП кераміки за рахунок карбіду, силіциду та нестехіометричного оксиду титану (Ti6O), що сприяє можливому утворенню МАХ фази Ti3SiC2 з високою електропровідністю. Ключові слова: поріг перколяції, наноструктурне матеріалознавство, електропровідність.
Опис:
Скорочений зміст висновків рецензентів.
В даній роботі представлені результати досліджень, які були спрямовані на: встановлення закономірностей структуроутворення і формування властивостей в системах, в яких поріг протікання існує або з’являється внаслідок хімічної реакції підчас пропускання електричного струму в процесі іскро-плазмового або мікрохвильового спікання; вивчення фізико-хімічної поведінки системи провідник – ізолятор на модельному об’єкті Si3N4–30об.% ZrN і Si3N4–50 об.% ZrN за різної щільності струму в матеріалі в умовах ІПС; моделювання протікання в системі провідник – ізолятор методом клітинних автоматів та запропоновано два види моделювання з різними 3Д-сітками; теоретичний аналіз можливих реакцій у порошкових сумішах TiН2+ZrН2+HfН2+BN та TiН2+ZrН2+HfН2+BN+В при різних температурах в умовах ІПС та експериментальну перевірку розрахунків на прикладі фазоутворення композиту в залежності від швидкості нагрівання в діапазоні 10–400 °С/хв; вивчення високотемпературної міцності композиту TiB2–B4C; дослідження впливу Ti та Si3N4 на синтез твердого розчину вуглецю в карбіді кремнію в умовах НВЧ та на формування питомого опору матеріалу, при гарячому пресуванні отриманої порошкової суміші.
Авторами роботи отримано низку важливих наукових результатів, а саме:
1) Виявлено ефект перколяції в умовах ІПС в системі провідник – ізолятор (Si3N4–30об.%ZrN)–5об.%Y2O3 і (Si3N4–50об.%ZrN)–5об.%Y2O3 при підвищенні щільності струму за рахунок ізоляції матриці у вигляді скачку потужності нагрівання при ~1350 °С;
2) В ході моделювання протікання струму в системі «провідник – ізолятор» методом клітинних автоматів з різними 3Д-сітками встановлено, що при збільшенні кількості контактів для простої моделі поріг перколяції зменшується від 33 % (26 контактів) до 9 % (6 контактів). Для складної пористої моделі показано, що кількість міжчастинкових контактів, необхідної для перколяції, зменшується від 15 при 15 % до 9 при 35 %;
3) Досліджено механізми деформації керамічного композиту з TiB2–B4C (70/30 об.%), отриманого методом ІПС, який при високотемпературному випробуванні на вигин в атмосфері Ar при Т = 1800 °C показав міцність близько 1,1 ГПа. Показано, що крива міцності-деформації має особливу форму та складається з трьох областей, де активність (участь) пружних та пластичних деформацій має різний вклад;
4) Виявлено, що діелектричні складові Si3N4 та SiO2 у складі компонентів синтезу карбіду кремнію сприяють формуванню твердого розчину вуглецю в карбіді кремнію з найнижчим параметром гратки при температурі 1200°С. В ході мікрохвильового синтезу формується композиційний порошковий склад, що містить карбід та силіцид титану, які забезпечують провідні характеристики спеченої кераміки. Виявлено, що питомий опір не суттєво залежить від температури формування кераміки при гарячому пресуванні. Все це сприяє можливому утворенню МАХ фази Ti3SiC2 з високою електропровідністю.
В цілому, робота виконана на високому експериментальному та теоретичному рівнях, її результати становлять значний інтерес для наноструктурного матеріалознавства. Отримані в роботі результати дослідження відповідають міжнародним стандартам високого рівня
Пропозиції про подальше використання результатів роботи.
Одержані результати будуть використані для вирішення науково-технічних завдань по створенню технологій, в яких реалізується тепловій пробій з появою нових матеріалів із покращеними експлуатаційними властивостями кераміки.