Звіт про науково-дослідну роботу: „ Вивчення електронної структури та фізико-хімічних властивостей потрійних та почетверених оксидних, халькогенідних і галогенідних фаз”

Abstract

ОБ’ЄКТИ ДОСЛІДЖЕННЯ – нанорозмірні матеріали, оксиди, халькогеніди, галогеніди. МЕТА РОБОТИ – дослідження особливостей електронної структури, міжатомної взаємодії та оптичних характеристик низки оксидних, халькогенідних і галогенідних фаз для вдосконалення фізико-хімічних основ їх синтезу. МЕТОДИ ДОСЛІДЖЕННЯ – рентгенівська емісійна спектроскопія, рентгенівська фотоелектронна спектроскопія, першопринципні розрахунки. Експериментальними і теоретичними методами досліджена електронна структура і оптичні властивості низки оксидних, халькогенідних і галогенідних фаз. Відповідно до виконаних в роботі “першопринципних” зонних DFT-розрахунків гібридизація електронних рівнів свідчить про значну частину ковалентного типу хімічного зв’язку в сполуках А2HgSnB4 (A=Ag, Cu, B=Se, S) поряд із іонним зв’язком. Результати “першопринципних” DFT-розрахунків свідчать, що Br4p стани є основними у валентній зоні Tl4HgBr6, в той час як Tl6s і Hg6s стани роблять істотний внесок в нижній частині валентної зони, а Tl6s стани вносять значний вклад у верхній частині валентної зони Tl4HgBr6Ar+ іонне бомбардування поверхні монокристалів Tl4HgI6 та Tl10Hg3Cl16 істотно не змінює розподіл електронних станів в межах валентної зони вказаних сполук. КЛЮЧОВІ СЛОВА: НАНОРОЗМІРНІ МАТЕРІАЛИ, ЕЛЕКТРОННА СТРУКТУРА, ГАЛОГЕНІД, ХАЛЬКОГЕНІД, ОКСИД.