Звіт про науково-дослідну роботу: „ Нанокомпозитні матеріали на основі шаруватих кристалів А3В6, вузькозонних напівпровідників А4В6, наноструктурованого вуглецю і твердих електролітів MeNO3 (Me = K, Na, Rb, Cs) для виготовлення фотоперетворювачів і накопичувачів електричної енергії”

Abstract

ОБ’ЄКТ ДОСЛІДЖЕННЯ – нанокомпозитні матеріали на основі А3В6, А4В6, вуглецю і твердих електролітів. МЕТА РОБОТИ – одержання нанокомпозитних матеріалів для накопичувачів і перетворювачів електричної енергії з характеристиками, що кращі за існуючі аналоги. Методи дослідження – рентгенівський аналіз, атомно-силова мікроскопія, електричні та оптичні вимірювання, теоретичне моделювання. На основі гексагональних шаруватих кристалів A3B6, нанорозмірних включень кубічних кристалів вузькозонних напівпровідникових сполук A4B6, наноструктурованого вуглецю і твердих електролітів отримані нанокомпозитні матеріали, придатні для використання у фотоперетворювачах і накопичувачах електричного заряду. Досліджено їх хімічний склад, морфологію, електричні та оптичні властивості. Приведені приклади практичного використання отриманих матеріалів (бар’єри Шоткі, фотоконденсатор, фотодетектор на основі β-In2Se3). Прогнозні припущення щодо розвитку об’єкта дослідження – пошук оптимальної технології виробництва нанокомпозитних матеріалів та виготовлення електронних пристроїв на їх основі. КЛЮЧОВІ СЛОВА: ШАРУВАТІ КРИСТАЛИ, НАНОКОМПОЗИТНІ МАТЕРІАЛИ, ПЛІВКИ, ТВЕРДІ ЕЛЕКТРОЛІТИ, СЕЛЕНІД ІНДІЮ, ГРАФІТ, БАР’ЄР ШОТКІ.