Анотація:
МЕТА РОБОТИ - вивчення впливу структури, фазоутворення на корозійну поведінку, окиснення, електрофізичні властивості тонких плівок ТіВ2, ТiN, СгSі2 та системи Ni-Sі на монокристалі кремнію. ОБ'ЄКТ ДОСЛІДЖЕННЯ - тонкі плівки тугоплавких сполук.
МЕТОДИ ДОСЛІДЖЕННЯ - електронографія, електронна мікроскопія на просвіт, рентгеноструктурний аналіз, термогравіметрія, електрохімічний метод, 4-х зондовий метод, комп'ютерний статистичний обрахунок та інші.
Величина відношення зерномежового до поверхневого розсіювання залежить не тільки від товщини плівок, але і від концентрації кристалітів та морфології наноструктури аморфно-кристалічних силіцидних плівок.
Вивчено корозійну поведінку у 3%-ному розчині NaС1 аморфних та аморфно-кристалічних плівок ТіВ2, ZгВ2 та полікристалічних текстурованих плівок ТiN. Розвиток процесу окиснення відбувається по типу піттінгової корозії, а основна причина корозійної нестійкості аморфних плівок заключається у взаємодії з домішковими (зокрема, з киснем та вуглецем) неоднорідностями структури, а у випадку аморфно-кристалічних плівок - з границями розділу "аморфний - кристалічний стан". Корозійна стійкість досліджених аморфних плівок ТiВ2 виявилась приблизно у 4000 разів вищою, ніж аналогічна величина масивного порошкового матеріалу, а полікристалічних плівок ТiN зменшується з ростом рівня термічних напруг.
Розраховано густини електронних станів аморфних плівок Ni2Sі, Ni3Si та СоSі. Важливий внесок у їх властивості дають d-електрони металів.
КЛЮЧОВІ СЛОВА: БОРІДИ, СИЛІЦИДИ, ПЛІВКИ, ОПІР, ФАЗА, КОРОЗІЙНА СТІЙКІСТЬ.
Опис:
СКОРОЧЕНИЙ ЗМІСТ ВИСНОВКІВ РЕЦЕНЗЕНТІВ.
Вивчено корозійну поведінку у 3 %-ному розчині NаСІ аморфних, аморфно-кристалічних та полікристалічних текстурованих плівок ТіВ2, ZгВ2,ТіN, NiSi та NiSi2. Показано, що в цих плівках розвиток процесу окисненя видбувається по типу піттінгової корозії. Корозійна стійкість досліджених аморфних плівок виявилась приблизно у 4000 разів вищою, ніж аналогічна величина масивного порошкового матеріалу. Робота виконана на високому науково-технічному рівні і доцільно подальший розвиток одержаних результатів в нових НДР та ОКР.
ПРОПОЗИЦІЇ ПРО ПОДАЛЬШЕ ВИКОРИСТАННЯ РЕЗУЛЬТАТІВ РОБОТИ.
Результати роботи можуть бути використані на підприємствах мікроелектронного профілю.